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s225522 发表于 2008-7-6 14:59

《自然》以纳米尺度测量硅电子器件内应力的方法

将硅置于应力下，可增强电荷载体在半导体中的运动，所以现在将应力预置进最新高性能硅器件中的做法就不足为怪了。然而，我们缺少的是一种多功能的工具，用来测量（甚至了解）这类器件中所产生的复杂应力分布。来自图卢兹材料增强与结构研究中心的一个小组研究出一种新方法，该方法将两种众所周知的方法——云纹干涉法和电子全息法结合在一起，来以纳米尺度测量应力。

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